TRANSISTOR BJT D718 NPN 120V 8A TRAN2SD718
Transistor BJT 2SD718 NPN 120V 8A 80W Encapsulado TO-3P para Amplificadores de Audio
El 2SD718 es un transistor bipolar de potencia (BJT NPN) de silicio diseñado para etapas de salida de amplificadores de audio de alta fidelidad, fuentes de alimentación y aplicaciones de conmutación de potencia. Destaca por su alta capacidad de corriente, buena ganancia, excelente disipación térmica y confiabilidad. Es el complemento del transistor 2SB688, formando una pareja ideal para etapas de salida push-pull en amplificadores de 45 a 50 W RMS.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD718 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | TO-3P / TO-3PS |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 160 V |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 120 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 8 A |
| Corriente máxima de base (IB) | 0.8 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 80 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 55 a 160 |
| Frecuencia de transición (fT) | 10 a 12 MHz |
| Corriente de fuga (ICBO) | ≤ 5 µA |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |

















