TRANSISTOR BJT D1060 NPN 50V 5A TRAN2SD1060
SKU: TRAN2SD1060
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Transistor BJT 2SD1060 NPN 50V 5A Encapsulado TO-220
El 2SD1060 es un transistor bipolar de unión (BJT) de potencia tipo NPN, fabricado con tecnología de silicio epitaxial y optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja tensión de saturación (Low VCE(sat)). Soporta hasta 50 V de tensión colector-emisor y 5 A de corriente de colector, proporcionando una alta eficiencia y bajas pérdidas de potencia.
Su encapsulado TO-220 facilita una excelente disipación térmica cuando se monta sobre un disipador, siendo ampliamente utilizado en drivers de relevadores, convertidores DC-DC, inversores, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), controladores de motores y sistemas de automatización industrial.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD1060 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicio epitaxial planar |
| Encapsulado | TO-220-3L |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 50 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 5 A |
| Corriente de pulso (ICP) | 9 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 30 W (Tc = 25 °C) |
| Potencia de disipación (Ta = 25 °C) | 1.75 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 70 – 400 |
| Frecuencia de transición (fT) | 30 MHz (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 0.3 V máx. (@ IC = 3 A, IB = 0.3 A) |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
