TRANSISTOR 2SC3152=NTE2309 BJT NPN 900-800V 3A 80W TO3P
El 2SC3152 es un transistor bipolar NPN de potencia en silicio, desarrollado por SANYO para aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas (Switching Regulators) y conmutación de alta tensión. Está fabricado mediante tecnología Triple Diffused Planar, que le proporciona una elevada capacidad para soportar voltajes, alta velocidad de conmutación y una amplia Área Segura de Operación (Wide ASO).
Es un dispositivo ampliamente utilizado en la etapa primaria de fuentes de televisores CRT, monitores, equipos industriales, convertidores DC-DC, inversores, cargadores y fuentes SMPS, donde se requiere un transistor robusto y confiable para trabajar con voltajes elevados.
https://www.alldatasheet.com/html-pdf/38840/SANYO/2SC3152/126/1/2SC3152.html
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Tipo | Transistor bipolar de potencia (BJT) |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Triple Diffused Planar Silicon |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | TO-3P / TO-3PB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Aplicación | Reguladores conmutados (SMPS) y conmutación de alta tensión |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 900 V |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 800 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 7 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 3 A |
| Corriente pico de colector (ICP) | 6 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 80 W (Tc = 25 °C) |
| Ganancia de corriente (hFE) | 10 mínimo |
| Frecuencia de transición (fT) | 15 MHz típica |
| Capacitancia de salida (Cob) | 60 pF típica |
| Voltaje de saturación Colector-Emisor VCE(sat) | 1.5 V máx. |
| Voltaje Base-Emisor VBE(sat) | 1.5 V máx. |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
