TRANSISTOR 2SD1265 NPN de potencia 60-60V 4A 30W TO220F
El 2SD1265 es un transistor bipolar NPN de potencia de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia en audio y etapas de salida de deflexión vertical en televisores CRT. Destaca por su baja tensión de saturación (VCE(sat)), buena capacidad de manejo de corriente y amplia área de operación segura (SOA), lo que le proporciona un funcionamiento confiable en equipos electrónicos de consumo e industriales. Se suministra comúnmente en encapsulado TO-220 / TO-220F (TO-220FA según fabricante), facilitando su montaje sobre disipadores térmicos.
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| 2SD1265 |
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1 2 31 = Base
2 = Colector
3 = Emisor
https://www.alldatasheet.com/html-pdf/33616/WINGS/2SD1265/126/1/2SD1265.html
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Tipo | Transistor Bipolar (BJT) |
| Polaridad | NPN |
| Material | Silicio epitaxial |
| Encapsulado | TO-220 / TO-220F (TO-220FA) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 5 V (algunas versiones especifican 8 V) |
| Corriente máxima de colector (IC) | 4 A |
| Corriente pico de colector (ICM) | 6 A |
| Corriente máxima de base (IB) | 1 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 30 W (Tc = 25 °C) |
| Ganancia de corriente (hFE) | 30 a 160 (mínimo 40 según versión) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 1.0 V máx. @ IC = 2 A |
| Voltaje Base-Emisor (VBE) | 1.2 V máx. @ IC = 1 A |
| Frecuencia de transición (fT) | ≈60 MHz |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
