TRANSISTOR MJE12007
SKU: TRANMJE12007
$39.00Precio
IVA incluido
TRANSISTOR MJE12007 =NTE2303
•Tipo de transistor: NPN
•Encapsulado: TO-220
•Tensión colector-emisor (Vce): 400 V (máxima)
•Corriente de colector (Ic): 8 A (máxima)
•Potencia de disipación (Ptot): 80 W (máxima con disipador adecuado)
•Ganancia de corriente continua (hFE): 8 - 40 (dependiendo de la corriente de colector)
•Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)): Aproximadamente 1.0 V a 2.0 V a plena corriente
•Frecuencia de transición (ft): 4 MHz (típica)
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Modelo | MJE12007 |
| Fabricante | Savantic (compatible con otros fabricantes) |
| Tipo | Transistor Bipolar (BJT) |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicio epitaxial |
| Aplicación | Conmutación de potencia |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 700 V |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 400 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 9 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 8 A |
| Corriente pico de colector (ICP) | 16 A |
| Corriente máxima de base (IB) | 4 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 80 W (Tc = 25 °C) |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | −55 °C a +150 °C |
