TRANSISTOR RJP30H2A CANAL IGBT SMD N 360V 35A
SKU: TRANRJP30H2A
$80.00Precio
IVA incluido
El RJP30H2A es un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potencia diseñado para aplicaciones de alta eficiencia en sistemas de conmutación rápida y manejo de altas corrientes. Es ampliamente utilizado en tarjetas inverter, hornos de microondas, cocinas de inducción, fuentes switching, inversores y equipos industriales, gracias a su excelente desempeño térmico y capacidad de trabajo en alta tensión.
| arámetro | Valor |
|---|---|
| Voltaje colector-emisor (Vces) | 360V |
| Corriente máxima (Ic) | 30A |
| Voltaje Gate-Emitter (Vge) | ±20V |
| Potencia disipada (Pd) | ≈ 150W |
| Frecuencia de conmutación | Alta velocidad |
| Tiempo de respuesta | Rápido |
